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NP109N055PUJ-E1B-AY

メーカー:	Renesas Electronics America
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	NP109N055PUJ-E1B-AY
説明:	MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Renesas Electronics America
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Obsolete
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
作動温度	175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	3.2mOhm @ 55A, 10V
電力放蕩(マックス)	1.8W (Ta), 220W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-263
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	180nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	55V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	10350pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	110A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V