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NP50P03YDG-E1-AY

メーカー:	Renesas Electronics America
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	NP50P03YDG-E1-AY
説明:	MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Renesas Electronics America
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	P-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
作動温度	175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	8.4mOhm @ 25A, 10V
電力放蕩(マックス)	1W (Ta), 102W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	8-HSON
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	96nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	3500pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	50A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	5V, 10V