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RJH65T46DPQ-A0#T0

メーカー:	Renesas Electronics America
対象品目:	Transistors - IGBTs - Single
データシート:	RJH65T46DPQ-A0#T0
説明:	IGBT TRENCH 650V 80A TO247A
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Renesas Electronics America
対象品目	Transistors - IGBTs - Single
シリーズ	-
igbtタイプ	Trench
包装	Tube
入力タイプ	Standard
門電荷	138nC
部地位	Active
-マックス	340.9W
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-247-3
実験条件	400V, 40A, 10Ohm, 15V
スイッチングエネルギー	450µJ (on), 550µJ (off)
td (on / off) @ 25°c	45ns/170ns
作動温度	175°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ	TO-247A
v(オン)(Max) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 40A
反転回復時間(trr)	100ns
現在-コレクター・Ic (Max)	80A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	650V