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RJP60F4DPM-00#T1

メーカー:	Renesas Electronics America
対象品目:	Transistors - IGBTs - Single
データシート:	RJP60F4DPM-00#T1
説明:	IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Renesas Electronics America
対象品目	Transistors - IGBTs - Single
シリーズ	-
igbtタイプ	Trench
包装	Tube
入力タイプ	Standard
部地位	Active
-マックス	41.2W
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-3PFM, SC-93-3
実験条件	400V, 30A, 5Ohm, 15V
ベース部材番号	RJP60F
スイッチングエネルギー	-
td (on / off) @ 25°c	45ns/70ns
作動温度	150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ	TO-3PFM
v(オン)(Max) @ Vge, Ic	1.82V @ 15V, 30A
現在-コレクター・Ic (Max)	60A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	600V