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STGB6M65DF2

メーカー: STMicroelectronics
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: STGB6M65DF2
説明: IGBT TRENCH 650V 12A D2PAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー STMicroelectronics
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ M
igbtタイプ Trench Field Stop
入力タイプ Standard
門電荷 21.2nC
部地位 Active
-マックス 88W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
実験条件 400V, 6A, 22Ohm, 15V
ベース部材番号 STGB6
スイッチングエネルギー 36µJ (on), 200µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 15ns/90ns
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ D2PAK
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A
反転回復時間(trr) 140ns
現在-コレクター・Ic (Max) 12A
現在-コレクターピン(Icm) 24A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 650V

在庫が 82 pcs

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