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STGW8M120DF3

メーカー: STMicroelectronics
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: STGW8M120DF3
説明: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー STMicroelectronics
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ M
igbtタイプ Trench Field Stop
入力タイプ Standard
門電荷 32nC
部地位 Active
-マックス 167W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-247-3
実験条件 600V, 8A, 33Ohm, 15V
ベース部材番号 STGW80
スイッチングエネルギー 390µJ (on), 370µJ (Off)
td (on / off) @ 25°c 20ns/126ns
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-247-3
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 8A
反転回復時間(trr) 103ns
現在-コレクター・Ic (Max) 16A
現在-コレクターピン(Icm) 32A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

在庫が 65 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.48 $3.41 $3.34
最小: 1

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