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STU1HN60K3

メーカー: STMicroelectronics
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: STU1HN60K3
説明: MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー STMicroelectronics
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ SuperMESH3™
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
ベース部材番号 STU1HN
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 8Ohm @ 600mA, 10V
電力放蕩(マックス) 27W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ I-PAK
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 600V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c 1.2A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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