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TH58NYG2S3HBAI4

メーカー: Toshiba Memory America, Inc.
対象品目: Memory
データシート: TH58NYG2S3HBAI4
説明: 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Memory America, Inc.
対象品目 Memory
シリーズ -
包装 Tray
技術 FLASH - NAND (SLC)
メモリサイズ 4Gb (512M x 8)
メモリタイプ Non-Volatile
部地位 Active
メモリフォーマット FLASH
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 63-BGA
メモリ・インターフェース Parallel
電圧-供給 1.7V ~ 1.95V
作動温度 -40°C ~ 85°C (TA)
サプライヤー装置パッケージ 63-BGA (9x11)
サイクル時間−単語,ページを書く 25ns

在庫が 210 pcs

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$6.50 $6.37 $6.24
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