画像は参考までに、仕様書を参照してください
GT10G131(TE12L,Q)
| メーカー: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - IGBTs - Single |
| データシート: | GT10G131(TE12L,Q) |
| 説明: | IGBT 400V 1W 8-SOIC |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 対象品目 | Transistors - IGBTs - Single |
| シリーズ | - |
| igbtタイプ | - |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| 入力タイプ | Standard |
| 部地位 | Obsolete |
| -マックス | 1W |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| 実験条件 | - |
| ベース部材番号 | GT10 |
| スイッチングエネルギー | - |
| td (on / off) @ 25°c | 3.1µs/2µs |
| 作動温度 | 150°C (TJ) |
| サプライヤー装置パッケージ | 8-SOP (5.5x6.0) |
| v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 4V, 200A |
| 現在-コレクターピン(Icm) | 200A |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 400V |
在庫が 60 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
要求引用
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