画像は参考までに、仕様書を参照してください
GT60N321(Q)
| メーカー: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - IGBTs - Single |
| データシート: | GT60N321(Q) |
| 説明: | IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 対象品目 | Transistors - IGBTs - Single |
| シリーズ | - |
| igbtタイプ | - |
| 包装 | Tube |
| 入力タイプ | Standard |
| 部地位 | Obsolete |
| -マックス | 170W |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-3PL |
| 実験条件 | - |
| ベース部材番号 | GT60 |
| スイッチングエネルギー | - |
| td (on / off) @ 25°c | 330ns/700ns |
| 作動温度 | 150°C (TJ) |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-3P(LH) |
| v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 60A |
| 反転回復時間(trr) | 2.5µs |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 60A |
| 現在-コレクターピン(Icm) | 120A |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 1000V |
在庫が 80 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
要求引用
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