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HN1B04FU-Y(T5L,F,T

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
データシート: HN1B04FU-Y(T5L,F,T
説明: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Discontinued at Digi-Key
-マックス 200mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
トランジスタタイプ NPN, PNP
作動温度 125°C (TJ)
周波数-遷移 150MHz
サプライヤー装置パッケージ US6
vイス(Max) @ Ib、Ic 250mV @ 10mA, 100mA
現在-コレクター・Ic (Max) 150mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 120 @ 2mA, 6V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

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