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RN1427TE85LF

メーカー:	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート:	RN1427TE85LF
説明:	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ	-
包装	Tape & Reel (TR)
部地位	Active
-マックス	200mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
トランジスタタイプ	NPN - Pre-Biased
ベース部材番号	RN142*
抵抗基地(R1)	2.2 kOhms
周波数-遷移	300MHz
サプライヤー装置パッケージ	S-Mini
抵抗器−送信機基地(R2−R2)	10 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic	250mV @ 1mA, 50mA
現在-コレクター・Ic (Max)	800mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	90 @ 100mA, 1V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	50V