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RN2427TE85LF
| メーカー: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| データシート: | RN2427TE85LF |
| 説明: | TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 200mW |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| トランジスタタイプ | PNP - Pre-Biased |
| 抵抗基地(R1) | 2.2 kOhms |
| 周波数-遷移 | 200MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | S-Mini |
| 抵抗器−送信機基地(R2−R2) | 10 kOhms |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 250mV @ 1mA, 50mA |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 800mA |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 500nA |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 90 @ 100mA, 1V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 50V |
在庫が 83 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.09 | $0.09 | $0.09 |
最小: 1
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