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TK160F10N1L,LQ

メーカー:	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	TK160F10N1L,LQ
説明:	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	U-MOSVIII-H
fet234タイプ	N-Channel
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA
作動温度	175°C
Rdsデータ(Max) @ Vgs	2.4mOhm @ 80A, 10V
電力放蕩(マックス)	375W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-220SM(W)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	122nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	10100pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c	160A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	6V, 10V