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TK160F10N1L,LQ

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: TK160F10N1L,LQ
説明: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ U-MOSVIII-H
fet234タイプ N-Channel
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA
作動温度 175°C
Rdsデータ(Max) @ Vgs 2.4mOhm @ 80A, 10V
電力放蕩(マックス) 375W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-220SM(W)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 122nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 10100pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 160A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 6V, 10V

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いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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