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TK39J60W,S1VQ

メーカー:	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	TK39J60W,S1VQ
説明:	MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	DTMOSIV
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	Super Junction
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-3P-3, SC-65-3
Vgs(th) (Max) @ Id	3.7V @ 1.9mA
作動温度	150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	65mOhm @ 19.4A, 10V
電力放蕩(マックス)	270W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-3P(N)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	600V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	4100pF @ 300V
現在25%で安全連続(id) @°c	38.8A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V