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TK7E80W,S1X

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: TK7E80W,S1X
説明: MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ DTMOSIV
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 280µA
作動温度 150°C
Rdsデータ(Max) @ Vgs 950mOhm @ 3.3A, 10V
電力放蕩(マックス) 110W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-220
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 800V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 300V
現在25%で安全連続(id) @°c 6.5A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

在庫が 295 pcs

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