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TPC8115(TE12L,Q,M)
| メーカー: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| データシート: | TPC8115(TE12L,Q,M) |
| 説明: | MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| シリーズ | U-MOSIV |
| fet234タイプ | P-Channel |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| vgs max | ±8V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| fet特徴 | - |
| 部地位 | Obsolete |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
| 作動温度 | 150°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 10mOhm @ 5A, 4.5V |
| 電力放蕩(マックス) | 1W (Ta) |
| サプライヤー装置パッケージ | 8-SOP (5.5x6.0) |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 115nC @ 5V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 20V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 9130pF @ 10V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 10A (Ta) |
| 駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 1.8V, 4.5V |
在庫が 57 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最小: 1
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