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TPW1R005PL,L1Q

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: TPW1R005PL,L1Q
説明: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ U-MOSIX-H
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA
作動温度 175°C
電力放蕩(マックス) 960mW (Ta), 170W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 8-DSOP Advance
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 122nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 45V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 9600pF @ 22.5V
現在25%で安全連続(id) @°c 300A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

在庫が 4830 pcs

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