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TPW4R50ANH,L1Q

メーカー:	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	TPW4R50ANH,L1Q
説明:	MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	U-MOSVIII-H
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
作動温度	150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	4.5mOhm @ 46A, 10V
電力放蕩(マックス)	800mW (Ta), 142W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	8-DSOP Advance
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	58nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	5200pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c	92A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V