画像は参考までに、仕様書を参照してください
NSB8JT-E3/45
| メーカー: | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
|---|---|
| 対象品目: | Diodes - Rectifiers - Single |
| データシート: | NSB8JT-E3/45 |
| 説明: | DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
| 対象品目 | Diodes - Rectifiers - Single |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tube |
| ダイオードタイプ | Standard |
| 部地位 | Active |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ベース部材番号 | NSB8J |
| 容量@ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-263AB |
| 逆流漏れ@ Vr | 10µA @ 600V |
| 電圧—DCリバースパス(Vr) (Max | 600V |
| 電流-平均整流器(Io) | 8A |
| 操作温度-接合部 | -55°C ~ 150°C |
| -前进(Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
在庫が 94 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.46 | $0.45 | $0.44 |
最小: 1
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