画像は参考までに、仕様書を参照してください
VS-GT200TP065N
| メーカー: | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - IGBTs - Modules |
| データシート: | VS-GT200TP065N |
| 説明: | IGBT |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
| 対象品目 | Transistors - IGBTs - Modules |
| 入力 | Standard |
| シリーズ | - |
| igbtタイプ | Trench |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 600W |
| 構成 | Half Bridge |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| ntc thermistor | No |
| パケット/場合 | INT-A-Pak |
| 作動温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| サプライヤー装置パッケージ | INT-A-PAK |
| v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 2.12V @ 15V, 200A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 221A |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 60µA |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 650V |
在庫が 77 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $95.44 | $93.53 | $91.66 |
最小: 1
要求引用
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