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VS-GT50TP60N

メーカー: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
対象品目: Transistors - IGBTs - Modules
データシート: VS-GT50TP60N
説明: IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Semiconductor - Diodes Division
対象品目 Transistors - IGBTs - Modules
入力 Standard
シリーズ -
igbtタイプ Trench
部地位 Last Time Buy
-マックス 208W
構成 Half Bridge
取付タイプ Chassis Mount
ntc thermistor No
パケット/場合 INT-A-PAK (3 + 4)
作動温度 175°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ INT-A-PAK
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
現在-コレクター・Ic (Max) 85A
入力容量(Cies) @ Vce 3.03nF @ 30V
トラッキング・キュートフ(マックス) 1mA
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 600V

在庫が 72 pcs

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