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SI1021R-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SI1021R-T1-GE3
説明: MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ P-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SC-75A
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 4Ohm @ 500mA, 10V
電力放蕩(マックス) 250mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ SC-75A
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 1.7nC @ 15V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 23pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 190mA (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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