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SI1051X-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SI1051X-T1-GE3
説明: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ P-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±5V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SOT-563, SOT-666
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 122mOhm @ 1.2A, 4.5V
電力放蕩(マックス) 236mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ SC-89-6
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 9.45nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 8V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 560pF @ 4V
現在25%で安全連続(id) @°c -
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 1.5V, 4.5V

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