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SI1065X-T1-GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SI1065X-T1-GE3
説明:	MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	TrenchFET®
fet234タイプ	P-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±8V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Obsolete
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	SOT-563, SOT-666
Vgs(th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	156mOhm @ 1.18A, 4.5V
電力放蕩(マックス)	236mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	SC-89-6
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	10.8nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	12V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	480pF @ 6V
現在25%で安全連続(id) @°c	-
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	1.8V, 4.5V