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SI1967DH-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: SI1967DH-T1-GE3
説明: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ 2 P-Channel (Dual)
包装 Digi-Reel®
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Active
-マックス 1.25W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ベース部材番号 SI1967
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 490mOhm @ 910mA, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ SC-70-6 (SOT-363)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 8V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 1.3A

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