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SI2308BDS-T1-E3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SI2308BDS-T1-E3
説明:	MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	TrenchFET®
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	156mOhm @ 1.9A, 10V
電力放蕩(マックス)	1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	SOT-23-3 (TO-236)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	6.8nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	190pF @ 30V
現在25%で安全連続(id) @°c	2.3A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V