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SI4446DY-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SI4446DY-T1-GE3
説明: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 40mOhm @ 5.2A, 10V
電力放蕩(マックス) 1.1W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ 8-SO
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 40V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 20V
現在25%で安全連続(id) @°c 3.9A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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