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SI4500BDY-T1-GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	SI4500BDY-T1-GE3
説明:	MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	TrenchFET®
fet234タイプ	N and P-Channel, Common Drain
包装	Digi-Reel®
fet特徴	Logic Level Gate
部地位	Obsolete
-マックス	1.3W
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ベース部材番号	SI4500
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	20mOhm @ 9.1A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ	8-SO
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	-
現在25%で安全連続(id) @°c	6.6A, 3.8A