Image is for reference only , details as Specifications

SI4501BDY-T1-GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	SI4501BDY-T1-GE3
説明:	MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	TrenchFET®
fet234タイプ	N and P-Channel, Common Drain
包装	Digi-Reel®
fet特徴	Logic Level Gate
部地位	Active
-マックス	4.5W, 3.1W
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	17mOhm @ 10A, 10V
サプライヤー装置パッケージ	8-SOIC
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V, 8V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	805pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c	12A, 8A