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SI4946CDY-T1-GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	SI4946CDY-T1-GE3
説明:	MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	TrenchFET®
fet234タイプ	2 N-Channel (Dual)
包装	Digi-Reel®
fet特徴	Standard
部地位	Active
-マックス	2W (Ta), 2.8W (Tc)
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	40.9mOhm @ 5.2A, 10V
サプライヤー装置パッケージ	8-SO
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 30V
現在25%で安全連続(id) @°c	5.2A (Ta), 6.1A (Tc)