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SI5515DC-T1-E3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	SI5515DC-T1-E3
説明:	MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	TrenchFET®
fet234タイプ	N and P-Channel
包装	Digi-Reel®
fet特徴	Logic Level Gate
部地位	Obsolete
-マックス	1.1W
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-SMD, Flat Lead
ベース部材番号	SI5515
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	40mOhm @ 4.4A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ	1206-8 ChipFET™
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	-
現在25%で安全連続(id) @°c	4.4A, 3A