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SI5935CDC-T1-E3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	SI5935CDC-T1-E3
説明:	MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	TrenchFET®
fet234タイプ	2 P-Channel (Dual)
包装	Tape & Reel (TR)
fet特徴	Standard
部地位	Active
-マックス	3.1W
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-SMD, Flat Lead
ベース部材番号	SI5935
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	100mOhm @ 3.1A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ	1206-8 ChipFET™
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	455pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c	4A