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SI6473DQ-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SI6473DQ-T1-GE3
説明: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ P-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±8V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
電力放蕩(マックス) 1.08W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ 8-TSSOP
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
現在25%で安全連続(id) @°c 6.2A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 1.8V, 4.5V

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