画像は参考までに、仕様書を参照してください

SI6562CDQ-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: SI6562CDQ-T1-GE3
説明: MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ N and P-Channel
包装 Digi-Reel®
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Active
-マックス 1.6W, 1.7W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ベース部材番号 SI6562
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 22mOhm @ 5.7A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ 8-TSSOP
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 6.7A, 6.1A

在庫が 4350 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

BSO150N03MDGXUMA1
Infineon Technologies
$0
SI4931DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI4931DY-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
2SC5095-R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
NSVF4009SG4T1G
ON Semiconductor
$0