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SI7909DN-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: SI7909DN-T1-GE3
説明: MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ 2 P-Channel (Dual)
包装 Tape & Reel (TR)
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Obsolete
-マックス 1.3W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 700µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 37mOhm @ 7.7A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ PowerPAK® 1212-8 Dual
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 12V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds -
現在25%で安全連続(id) @°c 5.3A

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