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SI7956DP-T1-E3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: SI7956DP-T1-E3
説明: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual)
包装 Digi-Reel®
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Active
-マックス 1.4W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 PowerPAK® SO-8 Dual
ベース部材番号 SI7956
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 105mOhm @ 4.1A, 10V
サプライヤー装置パッケージ PowerPAK® SO-8 Dual
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 150V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds -
現在25%で安全連続(id) @°c 2.6A

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