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SI7997DP-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: SI7997DP-T1-GE3
説明: MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ 2 P-Channel (Dual)
包装 Digi-Reel®
fet特徴 Standard
部地位 Active
-マックス 46W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 PowerPAK® SO-8 Dual
ベース部材番号 SI7997
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 5.5mOhm @ 20A, 10V
サプライヤー装置パッケージ PowerPAK® SO-8 Dual
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 6200pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c 60A

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