Image is for reference only , details as Specifications

SI8469DB-T2-E1

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SI8469DB-T2-E1
説明:	MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	TrenchFET®
fet234タイプ	P-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±5V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Obsolete
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	4-UFBGA
Vgs(th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	64mOhm @ 1.5A, 4.5V
電力放蕩(マックス)	780mW (Ta), 1.8W (Tc)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	8V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	900pF @ 4V
現在25%で安全連続(id) @°c	4.6A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V