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SIA425EDJ-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SIA425EDJ-T1-GE3
説明: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ P-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
電力放蕩(マックス) 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PowerPAK® SC-70-6 Single
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
現在25%で安全連続(id) @°c 4.5A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 1.8V, 4.5V

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