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SIB911DK-T1-GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	SIB911DK-T1-GE3
説明:	MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	TrenchFET®
fet234タイプ	2 P-Channel (Dual)
包装	Digi-Reel®
fet特徴	Standard
部地位	Obsolete
-マックス	3.1W
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	PowerPAK® SC-75-6L Dual
ベース部材番号	SIB911
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	295mOhm @ 1.5A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ	PowerPAK® SC-75-6L Dual
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 8V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	115pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c	2.6A