画像は参考までに、仕様書を参照してください

SIE854DF-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SIE854DF-T1-GE3
説明: MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 10-PolarPAK® (L)
Vgs(th) (Max) @ Id 4.4V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 14.2mOhm @ 13.2A, 10V
電力放蕩(マックス) 5.2W (Ta), 125W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 10-PolarPAK® (L)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 3100pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c 60A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

在庫が 66 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

SIE848DF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SIR878DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SIR876DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SUD50N06-07L-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SUD50N02-09P-E3
Vishay / Siliconix
$0