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SIHD2N80AE-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SIHD2N80AE-GE3
説明: MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ E
fet234タイプ N-Channel
vgs max ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 2.9Ohm @ 500mA, 10V
電力放蕩(マックス) 62.5W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ D-PAK (TO-252)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 800V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c 2.9A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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