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SISF02DN-T1-GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	SISF02DN-T1-GE3
説明:	MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	TrenchFET® Gen IV
fet234タイプ	2 N-Channel (Dual) Common Drain
包装	Digi-Reel®
fet特徴	Standard
部地位	Active
-マックス	5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	PowerPAK® 1212-8SCD
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	3.5mOhm @ 7A, 10V
サプライヤー装置パッケージ	PowerPAK® 1212-8SCD
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	25V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	2650pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c	30.5A (Ta), 60A (Tc)