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SIZ200DT-T1-GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	SIZ200DT-T1-GE3
説明:	MOSFET N-CH DUAL 30V
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	TrenchFET® Gen IV
fet234タイプ	2 N-Channel (Dual)
包装	Digi-Reel®
fet特徴	Standard
部地位	Active
-マックス	4.3W (Ta), 33W (Tc)
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
サプライヤー装置パッケージ	8-PowerPair® (3.3x3.3)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 10V, 30nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c	22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)