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SIZ350DT-T1-GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	SIZ350DT-T1-GE3
説明:	MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	TrenchFET® Gen IV
fet234タイプ	2 N-Channel (Dual)
包装	Digi-Reel®
fet特徴	Standard
部地位	Active
-マックス	3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	6.75mOhm @ 15A, 10V
サプライヤー装置パッケージ	8-Power33 (3x3)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	20.3nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	940pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c	18.5A (Ta), 30A (Tc)