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SIZ700DT-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: SIZ700DT-T1-GE3
説明: MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ 2 N-Channel (Half Bridge)
包装 Tape & Reel (TR)
fet特徴 Standard
部地位 Obsolete
-マックス 2.36W, 2.8W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-PowerPair™
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 8.6mOhm @ 15A, 10V
サプライヤー装置パッケージ 6-PowerPair™
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 16A

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