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SQ1912EH-T1_GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	SQ1912EH-T1_GE3
説明:	MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
fet234タイプ	2 N-Channel (Dual)
包装	Digi-Reel®
fet特徴	Standard
部地位	Active
-マックス	1.5W
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	280mOhm @ 1.2A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ	SC-70-6
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	1.15nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	75pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c	800mA (Tc)