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SQJ960EP-T1_GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: SQJ960EP-T1_GE3
説明: MOSFET 2N-CH 60V 8A
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual)
包装 Cut Tape (CT)
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Active
-マックス 34W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 36mOhm @ 5.3A, 10V
サプライヤー装置パッケージ PowerPAK® SO-8 Dual
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 735pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 8A

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