SQJ960EP-T1_GE3
メーカー: | Vishay / Siliconix |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
データシート: | SQJ960EP-T1_GE3 |
説明: | MOSFET 2N-CH 60V 8A |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Vishay / Siliconix |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
fet234タイプ | 2 N-Channel (Dual) |
包装 | Cut Tape (CT) |
fet特徴 | Logic Level Gate |
部地位 | Active |
-マックス | 34W |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | PowerPAK® SO-8 Dual |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
作動温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 36mOhm @ 5.3A, 10V |
サプライヤー装置パッケージ | PowerPAK® SO-8 Dual |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 60V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 735pF @ 25V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 8A |
在庫が 875 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.94 | $1.90 | $1.86 |
最小: 1