画像は参考までに、仕様書を参照してください

SQJ968EP-T1_GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	SQJ968EP-T1_GE3
説明:	MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
fet234タイプ	2 N-Channel (Dual)
包装	Cut Tape (CT)
fet特徴	Standard
部地位	Active
-マックス	42W (Tc)
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TA)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	33.6mOhm @ 4.8A, 10V
サプライヤー装置パッケージ	PowerPAK® SO-8 Dual
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	18.5nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	714pF @ 30V
現在25%で安全連続(id) @°c	23.5A (Tc)